C_半导体器件电子学

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对应教材为《半导体器件物理》 - 第二版 - 孟庆巨/刘海波/孟庆辉编著

半导体物理基础

1. 能带图 P10 1-3 P18
2. 导带电子 P14/15
3. N施主P受主(杂质/能级) P20/21 图1-8 /1-9
4. 费米能级 P26
5. 电子空穴浓度 P27
6. 本征半导体 P28
   　 一种杂质的半导体 P29/30 图1-13
   　 (杂杂质补偿半导体 P31)
7. 载流子散射 P36/39
8. 电荷运输 P41
9. 静电场/电势 P45/46
10. 非平衡载流子 P48
11. 准费米能级 P51
12. 直接复合机制 P52
13. 连续性方程/泊松方程 P58

PN结

1. PN结空间电荷区 P65 图2-3
2. 单向导电性 P71 图2-5 公式2-1-7/19
   　 少数载流子注入 P72 图2-5
   　 扩散近似 P73 公式2-2-11/12
3. 正向注入/反向抽取(电压电源关系)
   　 P76 图2-7 P78 公式2-3-22
   　 P75 假设
4. 正偏复合电流 P81 图2-10
5. 隧道电流 P83 图2-11过程
6. 温度对PN结IV特性的影响 图2-15
7. 耗尽层电容/扩散电容 P87概念 公式2-7-2
8. 频率/开关特性 P91概念 P93/96 图2-21
9. PN结击穿/雪崩 P99概念 　

双极结型晶体管

1. 放大作用 P110 图3-5
   　 电流分量/电流增益
2. 电流(载流子) P115 图3-10
   　 边界条件 P117 图3-11 P119 1.3
   　 假设^4
   　 正向有源求IB/IC/IE
3. EM方程 图3-14 公式2-4-5/6
   　 工作模式^4 P122 图3-15！
4. 非理想(Know)(缓变基区/电流集聚效应)
5. 厄利效应 P126
6. 频率响应 P127-129
   　 科尔克效应 P129过程
7. 混接Pi模型 P133 公式^4
8. 晶体管开关特性 P135 图3-27
   　 开关时间 P136
9. 击穿 P139 　

MOS管

1. MOS管结构 P191
2. 表面空间电荷区 P193
3. 积累/耗尽/反型(反型条件 P196)P194 图6-4
4. 理想MOS电容器 P197/198
   　 图6-7(积累/平带/耗尽/反型/强反型)
   　 沟道电导与阈值电压
5. 实际MOS电容器
   　 功函数 P206
   　 阈值电压 P210
6. 夹断(基本参数 P212)
   　 线性
   　 饱和
7. 等效电路/频率响应
8. MOSFET类型 P220表
9. 亚阈值区 P221
10. 其余因素(Know)
11. 小型化(Know) 　

附录

常用公式